近年来，作为第三代半导体材料的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)取得了长足发展，而氧化镓有望实现更高的击穿电压和更低的功率损耗，因而备受期待。
7月28日，三菱电机集团宣布，已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体。去年5月，Novel Crystal Technology曾宣布，罗姆承接了该公司实施的配股增资。近年来，作为第三代半导体材料的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)取得了长足发展，而氧化镓有望实现更高的击穿电压和更低的功率损耗，因而备受期待。三菱电机希望将其长期积累的低功率损耗、高可靠性功率半导体产品设计和制造技术与Novel Crystal Technology公司的氧化镓晶圆制造技术相结合，加快开发卓越节能的氧化镓功率半导体。
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根据Novel Crystal Technology官网信息显示，该公司最新募资总额为9.5 亿日元 ，其中三菱电机、ALCONIX 全球创新基金投资事业有限责任合伙企业、ALCONIX VENTURES、太阳日酸、CBC株式会社、TNP Threads of Light 为新投资方。该公司称，自2022财年上次增资以来，其一直致力于提高β-Ga2O3 100 mm 外延片的质量，并构建能够实现超低损耗、大电流功率器件的量产体系。此外，该公司还积极投入二极管和晶体管的开发，并取得了很多开发成果。该公司2022年至2023年主要成果为：
制作世界首个倒置氧化镓DI-MOS晶体管<2022年9月>;
开发下一代功率半导体β型氧化镓晶体缺陷成像技术<2022年12月>;
在日本首次成功确认了搭载氧化镓肖特基势垒二极管的实际350W电流连续功率因数校正电路的动作<2023年4月>;
Novel Crystal Technology表示，通过本次增资获得的资金以及与投资者的合作，其将进一步加快产品开发，推动β-Ga2O3的商业化。具体而言，本次增资获得的资金将用于增加肖特基势垒二极管(SBD)100mm晶圆的产量，计划从本财年起向企业、大学、研究机构等提供样品。同时，该公司还计划将资金分配给制造投资、开发制造技术以提高晶圆质量和降低成本，以及开发展示超越SiC的β-Ga2O3器件的性能。此外，该公司还将继续推进晶圆直径和质量的提高、晶体管性能的提高等开发。根据日经新闻去年8月的报道，Novel Crystal Technology由“氧化镓(GaO)”制成的晶圆最早将于2025年开始量产。按计划，该公司2025年起每年生产2万枚100毫米晶圆，到2028年量产生产效率更高的200毫米晶圆。
据了解，Novel Crystal Technology是世界上最早开发、制造和销售功率半导体用氧化镓(Ga2O3)晶圆的公司之一，拥有三菱电机制造氧化镓功率半导体产品所需的晶圆制造技术，是氧化镓晶圆领域的领军企业。该公司成立于2015年6月，并主要从事氧化镓外延薄膜衬底的制造与销售(涵盖单晶及应用产品等)。截至2023年7月28日，该公司注册资本为6.3988亿日元，其股东包括田村、AGC、特瑞仕半导体、Hazama Ando、JX金属、安川电机、三菱电机、Iwatani 风险投资、罗姆、佐鸟电机、Alconix Ventures、大阳日酸、新电元、双日机械、CBC、TNP Threads Of Light等。
2022年3月1日，Novel Crystal Technology宣布，其与太阳日酸株式会社和东京农业技术大学合作，首次成功地利用卤化物气相外延(HVPE)方法在6英寸晶圆上沉积了下一代半导体材料β-Ga2O3。
2022年3月14日，Novel Crystal Technology已经与佐贺大学合作开发了第三代氧化镓100毫米外延片。该公司和佐贺大学改进了外延片的制造技术，并将致命缺陷的数量减少到传统晶圆的1/10。这一技术改进促使氧化镓在火车、工业设备和电动汽车所需的100 a级动力装设备中的商业化使用成为可能。
2022年9月，Novel Crystal Technolog已经确认了具有足够高阈值电压(6 V)的高击穿电压(1 kV)氧化镓反向双植入MOS晶体管(DI-MOSFET)的基本操作，作为其参与国家安全技术研究促进基金(JP004596)的“反向MOS沟道型氧化镓晶体管的研究与开发”计划的一部分。这一 创举是世界首个在氧化镓(β-Ga2O3)研究上所取得的成就，该技术将极大地推动中高压(0.6-10 kV)氧化镓晶体管的发展，从而推动电力电子产品向更低价格和更高性能迈进。
2022年12月，该公与一般财团法人精密陶瓷中心和兵库县公立大学法人兵库县立大学等共同合作，利用X射线衍射现象之一的“异常透射现象”，进行X光。就像用摄影检查人体一样，在世界上首次成功地在短时间内、非破坏的情况下全部可视化β-Ga2O3晶体内部的各种晶格缺陷(如下图)。利用该技术，可以精确掌握晶体内缺陷的空间分布和缺陷种类的相关信息，为优化晶体生长条件提供准确的反馈。面向β-Ga2O3功率器件的普及，可以期待结晶的高品质化的进一步加速。
